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| 符號 | 英文單詞參數 | 中文參數 | 說明 | 單位 |
| IT(AV) | AVERAGE ON-STATE CURRENT | 通態平均電流 | 國標規定通態平均電流為晶閘管在環境溫度為40oC和規定的冷卻狀態下，穩定結溫不超過額定結溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數。同電力二極管一樣，這個參數是按照正向電流造成的器件本身的通態損耗的發熱效應來定義的。因此在使用時同樣應按照實際波形的電流與通態平均電流所造成的發熱效應相等，即有效值相等的原則來選取晶閘管的此項電流定額，并應留一定的裕量。一般選取其通態平均電流為按此原則所得計算結果的1.5-2倍。 | A |
| VTM | Peak on-state voltage drop | 通態峰值電壓 | 指器件通過規定正向峰值電流IFM(整流管)或通態峰值電流ITM(晶閘管)時的峰值電壓也稱峰值壓降該參數直接反映了器件的通態損耗特性影響著器件的通態電流額定能力。 | V |
| IDRM | Maximum forward or reverse leakage current | 斷態重復峰值漏電流 | 為晶閘管在阻斷狀態下承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時流過元件的正反向峰值漏電流該參數在器件允許工作的最高結溫Tjm下測出。 | mA |
| IRRM | Maximum reverse leakage current | 反向重復峰值漏電流 | mA | |
| IDSM | 斷態不重復平均電流 | 門極斷路時，在額定結溫下對應于斷態不重復峰值電壓下的平均漏電流。 | A | |
| VTO | On state threshold voltage |
門 檻電壓 |
- | V |
| IT(RMS) | On-State RMS Current (full sine wave) | 通態電流均方值 | - | A |
| ITSM | Non-Repetitive Peak on-state Current | 通態浪涌電流(通態不重復峰值電流) | 浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結溫超過額定結溫的不重復性最大正向過載電流。浪涌電流有上下兩個級，這個參數可用來作為設計保護電路的依據。 | A |
| IGM | Forward Peak Gate Current | 門極峰值電流 | - | A |
| I2T | Circuit Fusing Consideration | 周期電流平方時間積 | - | A2ses |
| dIT/dt | Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3) | 通態臨界電流上升率 | 當雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發下導通，門極臨近處立即導通，然后迅速擴展至整個有效面積。這遲后的時間有一個極限，即負載電流上升率的許可值。過高的dIT/dt可能導致局部燒毀，并使T1-T2 短路。假如過程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或導通時的dIT/dt有可能被超出，可在負載上串聯一個幾μH的不飽和（空心）電感。 | A/μs |
| VDRM | Repetitive peak off-state voltage | 斷態重復峰值電壓 | 斷態重復峰值電壓是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓.國標規定重復頻率為50H，每次持續時間不超高10ms。規定斷態重復峰值電壓DRM為斷態不重復峰值電壓（即斷態最大瞬時電壓）UDSM的90%.斷態不重復峰值電壓應低于正向轉折電壓bo，所留裕量大小由生產廠家自行規定。UU | V |
| VRRM | 反向重復峰值電壓 | 在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。 | ||
| VPP | Non repetitive line peak pulse voltage | 最高不重復線路峰值電壓 | - | v |
| Visol | R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink | 引腳到外殼最大絕緣電壓 | - | V |
| PG(AV) | Average gate power dissipation | 門極平均散耗功率 | - | W |
| PGM | Peak gate power | 門極最大峰值功率 | - | W |
| PG(AV) | Average Gate Power | 門極平均功率 | - | W |
| Tj | Operating Junction Temperature Range | 工作結溫 |
為了長期可靠工作，應保證 Rth j-a 足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax ,其值相應于可能的最高環境溫度。 |
℃ |
| Tstg | Storage Temperature Range | 貯存溫度 | - | ℃ |
| TL | Max.Lead Temperature for Soldering Purposes | 引腳承受焊錫極限溫度 | - | ℃ |
| Rth(j-mb) | Thermal Resistance Junction to mounting base | 熱阻-結到外殼 | - | ℃/W |
| Rth(j-a) | Thermal Resistance Junction-to-ambient | 熱阻-結到環境 | - | ℃/W |
| IGT | Triggering gate current | 門極觸發電流 | 為了使可控硅可靠觸發，觸發電流Igt選擇25度時max值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選型時α取大于1.5倍即可。 | mA |
| IH | Holding Current | 維持電流 | 維持可控硅維持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。 | mA |
| IL | Latching Current (IGT3) | 接入電流(第三象限)/擎住電流 | 擎住電流是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的最小電流。對同一晶閘管來說，通常IL約為IH的2--4倍。 | mA |
| ID | Off-state leakage current | 斷態漏電流 | - | mA |
| VGT | Triggering gate voltage | 門極觸發電壓 | —可以選擇Vgt 25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選擇時β取1~1.2倍即可。 | V |
| VGD | Non-triggering gate voltage | 門極不觸發電壓 | - | V |
| VFGM | Peak Forward Gate Voltage | 門極正向峰值電壓 | - | V |
| VRGM | Peak Reverse Gate Voltage | 門極反向峰值電壓 | - | V |
| IFGM | Peak Forward Gate Current | 門極正向峰值電流 | - | A |
| VTM | Peak Forward On-State Voltage | 通態峰值電壓 | 它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅 | V |
| dV/dt | Critical Rate of Rise of Off-state Voltage | 斷態臨界電壓上升率 | dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容，如圖2所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端會出現等效電流，這個電流就會成為Ig，也就是出現了觸發電流，導致誤觸發 | V/uS |
| (dI/dt)c | Critical rate of decrease of commutating on-state current | 通態電流臨界上升率 | 指在規定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態電流上升率。如果電流上升太快，則晶閘管剛一開通，便會有很大的電流集中在門極附近的小區域內，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。 | A/ms |
| dVCOM/dt | Critical rate of change of commutating voltage | 臨界轉換電壓上升率 | 切換電壓上升率dVCOM/dt。驅動高電抗性的負載時，負載電壓和電流的波形間通常發生實質性的相位移動。當負載電流過零時雙向可控硅發生切換，由于相位差電壓并不為零。這時雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過允許值，會迫使雙向可控硅回復導通狀態，因為載流子沒有充分的時間自結上撤出。 | V/uS |
| dICOM/dt | 切換時負載電流下降率 | dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力下降。 結面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVCOM/dt的允許值有可能被超過，為避免發生假觸發，可在T1 和T2 間裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，晶閘管關斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產生達正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。 | A/mS | |
| tgt | Gate Controlled Delay Time | 門極控制延遲時間 | - | us |
| Tq | Circuit Commutated Turn-off Time | 周期轉換關斷時間 | 恢復晶閘管電壓阻斷能力所需的最小電路換流反壓時間。 | us |
| Rd | Dynamic Resistance ( Tj=125℃) | 動態阻抗 | - |
mΩ |
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