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晶閘管參數名詞解釋
1. 反向重復峰值電壓（VRRM）：反向阻斷晶閘管兩端出現的重復最大瞬時值反向電壓，包括所有的重復瞬態電壓，但不包括所有的不重復瞬態電壓。
注：反向重復峰值電壓（VRRM）是可重復的，值大于工作峰值電壓的最大值電壓，如每個周期開關引起的毛疵電壓。
2. 反向不重復峰值電壓（VRSM）：反向阻斷晶閘管兩端出現的任何不重復最大瞬時值瞬態反向電壓。
1） 測試目的：在規定條件下，檢驗晶閘管的反向不重復峰值電壓額定值。
2） 測試條件：a）結溫：25℃和125℃； b）門極斷路；c）脈沖電壓波形：底寬近似10mS的正弦半波； d)脈沖重復頻率：單次脈沖；e)脈沖次數：按有關產品標準規定；f)測試電壓：反向不重復峰值電壓
注：反向不重復峰值電壓（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重復峰值電壓的最大值電壓。通常標準規定VRSM =1.11VRRM。應用設計應考慮一切偶然因素引起的過電壓都不得超過不重復峰值電壓。
3. 通態方均根電流（IT(RMS)）：通態電流在一個周期內的方均根值。
4. 通態平均電流(IT(AV))：通態電流在一個周期內的平均值。
5. 浪涌電流（ITSM）：一種由于電路異常情況（如故障）引起的，并使結溫超過額定結溫的不重復性最大通態過載電流。
1）測試目的：在規定條件下，檢驗晶閘管的通態（不重復）浪涌電流額定值。
2）測試條件：a)浪涌前結溫：125℃；b)反半周電壓：80％反向重復峰值電壓；d)每次浪涌的周波數：一個周波，其導通角應在160度至180度之間
6. 通態電流臨界上升率（di/dt）：在規定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態電流上升率。
1)測試目的：在規定條件下，檢驗晶閘管的通態電流臨界上升率額定值。
2）測試條件：a)加通態電流前結溫： 125℃；b)門極觸發條件：IGM =3～5IGT；c)開通前斷態電壓VDM=2/3VDRM ；d)開通后通態電流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）； e)t1≥1us；f)重復頻率：50HZ；g)通態電流持續時間：5s。
7. I2t值：浪涌電流的平方在其持續時間內的積分值。
1） 測試目的：在規定條件下，檢驗和測量反向阻斷三級晶閘管的I2t值
2） 測試條件：a)浪涌前結溫：125℃；b)浪涌電流波形：正弦半波；
3) I2t測試實質是持續時間小于工頻正弦波（1-10ms范圍）的一種不重復浪涌電流測試。通過浪涌電流it對其持續時間t積分∫it2dt，即可求得I2t值。
8. 門極平均值耗散功率（PG（AV））：在規定條件下，門極正向所允許的最大平均功率。
1) 測試目的：在規定條件下，檢驗反向阻斷三級晶閘管的門極平均功率額定值
2) 測試條件：a)結溫：125℃；b)門極功率：額定門極平均功率；c)測試持續時間：3S；d)主電路條件：陽，陰極間斷路。
3） 測量程序：a)被測器件加熱到規定結溫；b)從零緩慢調整電源的輸出，使電流表和電壓表指示的數字的乘積達到額定門極平均功率PG（AV），并保持3S時間，然后將電源的輸出調回零；c)測試后，進行門極觸發電流和電壓測量，如無異常，則PG（AV）額定值得到確認。
9. 反向重復峰值電流（IRRM）：晶閘管加上反向重復峰值電壓時的峰值電流。
10. 斷態重復峰值電流（IDRM）：晶閘管加上斷態重復峰值電壓時的峰值電流。
1） 測試目的：在規定條件下，測量晶閘管的斷態重復峰值電壓下的斷態重復峰值電流和反向重復峰值電壓下的反向重復峰值電流。
2） 測試條件：a) 結溫：25℃和125℃；b)斷態電壓和反向電壓：斷態重復峰值電壓（VDRM）或反向重復峰值電壓（VRRM）；c)門極斷路。
3） 測量程序：A)被測器件分別在25℃和125℃下，調節交流電壓源，使斷態電壓達到斷態重復峰值電壓，由示波器顯示的斷態電流即為所測斷態重復峰值電流（IDRM）。
B)被測器件主電極的極性交換，重復上述操作即可測得反向重復峰值電流（IRRM）。
11. 峰值通態電壓（VTM）：晶閘管通以π倍或規定倍數額定通態平均電流值時的瞬態峰值電壓。
1） 測試目的：在規定條件下，用脈沖法測量晶閘管的通態峰值電壓。
2） 測試條件：a)結溫：出廠試驗為25℃，型式試驗為25℃和125℃；b)通態峰值電流：通態平均電流的π倍；c)電流脈沖可以使單次的，也可以是發熱效應能忽略的低重復頻率脈沖；d)電流脈沖寬度應足夠寬，以使被測器件完全開通。
3） 測量程序：a)電源電壓和門極觸發電壓先調至零。b)被測器件按規定壓力和接線法接入電路中。結溫調至規定值，門極電路調至規定的偏置條件。C)電源電壓由零增加，通過L，C振蕩，使流過被測器件的脈沖電流整定到規定值，此時示波器上顯示的數值即為所測通態峰值電壓。
12. 門檻電壓：由通態特性近似直線與電壓軸的交點確定的通態電壓值。
13. 斜率電阻：由通態特性近似直線的斜率電阻確定的電阻值。
14. 延遲時間：在用門極脈沖使晶閘管從斷態轉入通態的過程中，從門極脈沖前沿的規定點起，至主電壓下降到接近初始值的某一規定值為止的時間間隔。
15. 關斷時間（tq）：外部使主電路轉換動作后，從主電流下降至零值瞬間起，到晶閘管能承受規定的斷態電壓而不致過零開通的時間間隔。
1）測試目的：在規定條件下測量晶反向阻斷三極閘管的關斷時間。
2）測試條件：a)通電前結溫：125℃；b) 關斷前通態電流：波形優選位矩形波，峰值優選為3 ITAV，上升率di/dt≤30A/us；c)通態電流持續時間：按被測器件完全導通而發熱盡可能小確定，數百微秒至幾毫秒；d)關斷期間施加反向電壓幅值為100V，最小值不小于20V；e)再加斷態電壓幅值VDM=2/3VDRM，其上升率dv/dt=30V/us;f)重復頻率f≤50HZ。
3）測量程序：a)被測器件結溫控制在125℃；b)調整通態電流電源使被測器件流過規定的電流ITM，切斷門極電流，持續規定的時間；c)調整反向電壓電源，對被測器件施加幅值和最小值的反向電壓，使其陽極電流反向并可靠地關斷；d)在雙跡示波器上觀察，調整規定值再加斷態電壓施加時間，當被測器件剛能承受此電壓而又不轉為通態的最小時間間隔，即為所測關斷時間。
16. 恢復電荷（Qr）：從規定的通態電流條件向規定的反向條件轉換期間，晶閘管內存在的恢復性總電荷。它包括儲存的載流子和耗盡層電容兩部分電荷。
1） 測試目的：在規定條件下，用測量晶閘管反向恢復電流和反向恢復時間的方法求出恢復電荷。
2） 測試條件：a)結溫：125℃；b)換向前的通態電流；額定通態平均電流值；c)通態電流下降率：規定；d)通態電流通電時間：按被測器件完全開通，又可忽視發熱效應的原則選取；e)反向電壓：50%反向重復峰值電壓。
17. 臨界電壓上升率（dv/dt）：緊跟著一個方向通態電流之后，在相反方向上導致斷態到通態轉換的最小主電壓上升率。
1） 測試目的：在規定條件下，用電壓線形上升法或指數上升法，測量晶閘管的斷態電壓臨界上升率。
2） 測試條件：a)結溫：125℃；b)斷態峰值電壓（VDM）：從零開始施加2/3倍斷態重復峰值電壓；c)門極斷路或規定偏置電阻值；d)斷態電壓脈沖間隔時間：重復頻率≤50HZ；
3） 測試程序：被測器件加熱到125℃。按示波器或峰值電壓表顯示，從零開始施加規定的斷態電壓，調整電壓上升率，直至剛好開通，即電壓波形突然下降，開通前瞬間的dV/dt即為所求斷態電壓臨界上升率。
18. 門極觸發電流（IGT）：使晶閘管由斷態轉入通態所必需的最小門極電流。
19. 門極觸發電壓（VGT）：產生門極觸發電流所必須的最小門極電壓。
1） 測試目的：在規定條件下，測量晶閘管的門極觸發電流和門極觸發電壓。
2） 測試條件：a)結溫：25℃；b)斷態電壓：直流12V或6V；c)負載電阻（R）值：應予規定；
3） 測量：被測器件在25℃下，由零開始逐漸增加門極至陰極間電壓，當V1表指示的斷態電壓突然下降，A1表指示出通態電流的瞬間，此時毫安表A2和V2表的指示分別為所測門極觸發電流和門極觸發電壓。
20. 門極峰值電流：包括所有門極正向瞬態電流的最大瞬時值門極正向電流。
21. 門極反向峰值電壓：門極反向電壓的最大瞬時值，包括所有的門極反向瞬態電壓。
1) 測試目的：在規定條件下，檢驗反向阻斷三級晶閘管的門極正向額定值。
2) 測試條件：a)結溫：125℃；b)重復頻率：50HZ；c)門極脈沖波形：方波，脈沖幅值對應的平均功率不超過其額定值；d)試驗持續時間：3S；e)主電路條件：陽，陰極間斷路。
3) 測試程序：A）將被測器件溫度加熱到規定結溫；B）在被測器件的門極和陰極間施加門極觸發脈沖，在示波器上觀察門極伏安特性曲線，調整電源E，緩慢增大觸發信號，當該曲線與額定門極正向峰值電流，額定門極正向峰值電壓和額定門極正向峰值功率三條極限線的任一條相交時，在此點保持觸發信號的大小持續3S時間，然后將電源輸出調至零；C）測試后，進行斷態和反向峰值電流，門極觸發電流和電壓測量，如無異常，則被測門極反向峰值電壓額定值得到確認。
22. 結殼熱阻：結到管殼基準點的熱阻。
殼散熱阻；管殼基準點到散熱器基準點的熱阻。
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