雙向可控硅的使用方法和詳細介紹

1.雙向可控硅等效結(jié)構(gòu)

2.雙向可控硅等效結(jié)構(gòu)

3.雙向可控硅等效結(jié)構(gòu)

T2 接電源Vt21 正極，T1 接通電源Vt21負 負, 此時當(dāng)G 極接Vg+ 為正電壓， Q4、 、Q5 、Q6 、Q7 處于反向截止，Q1 的B極 極和 和E 極之間無正偏壓也處于截止?fàn)顟B(tài)，Vg+ 由P2 輸入后經(jīng)R3 使Q2 的B 極和E極 極之間產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而促使Q3導(dǎo)通，這時即使撤出Vg+ ，在電容C1的 的的作用下，Q2 、Q3 也仍然能處于導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)Vt21 先反向或撤除才重回截止。當(dāng)G 極接Vg 為負，Q4 、Q5 、Q6、 、Q7 同樣處于反向截止?fàn)顟B(tài)，Q1 的B 極和E 極之間因Vg 產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而使Q3 、Q2 導(dǎo)通并得以保持導(dǎo)通狀態(tài)。? T1 接電源Vt12 正極，T2 接通負電源Vt12 的負極,  此時G 極接Vg 為正， Q1因 因B 極和E 極之間處于反向偏壓而截止，Q3 處于反向截止，Q2 因B 極和E 極之間處于正向偏壓導(dǎo)通而導(dǎo)致Q4 、Q7 的導(dǎo)通，從而Q6 、Q7 導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng) 當(dāng)Vt12 先反向或撤除才重回截止。當(dāng)G極接Vg 為負，Q1 、Q2 、Q3 和Q4 處于反向截止， Q5 的B 極和E 極之間因Vg 而處于正偏導(dǎo)通，從而使Q6 導(dǎo)通，繼而Q7、 、Q6 導(dǎo)通并得以保持導(dǎo)通狀態(tài)。

4.雙向可控硅觸發(fā)模式

5.雙向可控硅觸發(fā)命名

6.雙向可控硅平面和縱向結(jié)構(gòu)

7.雙向可控硅I-V曲線

8.雙向可控硅優(yōu)缺點

優(yōu)點：
雙向可控硅可以用門極和T1  間的正向或負向電流
觸發(fā)。因而能在四個“象限”觸發(fā)
缺點：
1.  高IGT ->  需要高峰值IG 。
2.  由IG  觸發(fā)到負載電流開始流動，兩者之間遲后時間較長 –>  要求IG  維持較長時間。
3.  低得多的dI/dt  承受能力 —>  若控制負載具有高dI/dt  值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強烈退化。
4.  高IL  值（1- 工況亦如此）—> 對于很小的負載，若在電源半周起始點導(dǎo)通，可能需要較長時間的IG ，才能讓負載電流達到較高的IL 。

9.雙向可控硅誤導(dǎo)通

 （a ）電子噪聲引發(fā)門極信號在電子噪聲充斥的環(huán)境中，若干擾電壓超過VGT，并有足夠的門極電流，就會發(fā)生假觸發(fā)，導(dǎo)致雙向可控硅切換。
(b) 超過最大切換電壓上升率dVCOM/dt當(dāng)負載電流過零時雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零，這時雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率若超過允許的dVCOM/dt，會迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)。因為載流子沒有充分的時間自結(jié)上撤出。
（ （c ）  超出最大的切換電流變化率dICOM/dt過高的dIT/dt 可能導(dǎo)致局部燒毀，并使MT1-MT2 短路。 高dIT/dt 承受能力決定于門極電流上升率dIG/dt 和峰值IG。較高的dIG/dt 值和峰值IG
(d)  超出最大的斷開電壓變化率dVD/dt若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過VDRM（見圖8），電容性內(nèi)部電流能產(chǎn)生足夠大的門極電流，并觸發(fā)器件導(dǎo)通。門極靈敏度隨溫度而升高。

10.三象限（ 無緩沖）雙向可控硅

1. 3Q 雙向可控硅具有和4Q 雙向可控硅不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，它在門極沒有臨界的重疊結(jié)構(gòu)。
2. 不能在4象限工作，但由于排除了4象限的觸發(fā)，同時避開了4Q 雙向可控硅的缺點。
3. 大部分電路工作在1和3象限（用于相位控制），或者工作在2和3象限（用于簡單的極性觸發(fā))。

3Q  雙向可控硅的好處:
1. 高dVcom/dt 值性能,不需緩沖電路
2. 高dVd/dt 值性能,不需緩沖電路
3. 高dIcom/dt 值性能，不必串聯(lián)電感

11.雙向可控硅