科技創(chuàng)新

可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡有什么作用？

在實際晶閘管電路中，常在其兩端并聯(lián) RC 串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為 RC 阻容吸收電路。

我們知道，晶閘管有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率 dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能

發(fā)生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個 PN 結組成。在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其 J2 結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容 C0，并通過 J3 結，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則 C0 的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC 阻容吸收網(wǎng)絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容 C 串聯(lián)電阻 R 可起阻尼作用，它可以防止 R、L、C 電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC 阻容吸收網(wǎng)絡就是常用的保護方法之一。

上一篇：可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？下一篇：雙向可控硅在線路板工作象限如何判斷？

欄目導航

新聞中心

聯(lián)系我們

聯(lián)系人：劉經(jīng)理

手機：18926008145

電話：0769-88461176

郵箱：style@www.szpht.com

地址：東莞市高埗鎮(zhèn)高埗稍潭村理文街第A24座2號

亚洲第一成人网站I日日干,天天干I精选久久I丁香婷婷深情五月亚洲I久久中文字幕女同一区I欧美日韩色图I久久久久一区I一区二区欧美日韩I91爰爰动漫

科技創(chuàng)新

可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡有什么作用？

相關新聞

欄目導航

新聞中心

聯(lián)系我們